BC859C DIOTEC

Symbol Micros: TBC859c DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP