FQPF9N50CF

Symbol Micros: TFQPF9n50cf
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 850mOhm; 9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 850mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9A
Maksymalna tracona moc: 44W
Obudowa: TO220AB
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQPF9N50CF RoHS Obudowa dokładna: TO220AB karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 38+ 114+
cena netto (PLN) 11,7500 9,7200 8,5300 7,8600 7,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
38
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQPF9N50CF RoHS Obudowa dokładna: TO220AB karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 38+ 114+
cena netto (PLN) 11,7500 9,7200 8,5300 7,8600 7,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
12
Rezystancja otwartego kanału: 850mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9A
Maksymalna tracona moc: 44W
Obudowa: TO220AB
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD