FQP50N06L

Symbol Micros: TFQP50n06l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 52,4A; 121W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 25mOhm
Maksymalny prąd drenu: 52,4A
Maksymalna tracona moc: 121W
Obudowa: TO220AB
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP50N06L RoHS Obudowa dokładna: TO220AB karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,8100 4,4400 3,6700 3,2200 3,0600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 25mOhm
Maksymalny prąd drenu: 52,4A
Maksymalna tracona moc: 121W
Obudowa: TO220AB
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT