MJD47G

Symbol Micros: TMJD47
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK t/r
Tranzystor NPN; 150; 1,56W; 250V; 1A; 10MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD47T4; MJD47T4G; MJD47TF;
Parametry
Moc strat: 1,56W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: DPAK t/r
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 250V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJD47G RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,2500 1,3600 1,0100 0,9310 0,8990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Moc strat: 1,56W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 150
Częstotliwość graniczna: 10MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: DPAK t/r
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 250V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN