SPP24N60C3

Symbol Micros: TSPP24n60c3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 340mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24,3A
Maksymalna tracona moc: 240W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: SPP24N60C3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 20,1900 17,0900 15,2300 14,0200 13,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 340mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24,3A
Maksymalna tracona moc: 240W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT