BC846ALT1G

Symbol Micros: TBC846al ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 220; 300mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846ALT3G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC846ALT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
750 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3800 0,1500 0,0875 0,0640 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN