SSM3J36FS,LF
Symbol Micros:
TSSM3j36fs
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 3,6Ohm; 330mA; 150mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 330mA |
| Maksymalna tracona moc: | 150mW |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 330mA |
| Maksymalna tracona moc: | 150mW |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |