IRFR110 smd
Symbol Micros:
TIRFR110
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 4,3A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR110PBF; IRFR110TRPBF; IRFR110PBF-BE3; IRFR110TRLPBF-BE3; IRFR110TRPBF-BE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 540mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFR110 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 150+ | 525+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,4900 | 1,1000 | 1,0400 | 0,9900 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFR110 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Stan magazynowy:
270 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,5000 | 1,1100 | 1,0300 | 0,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 540mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |