NDT014L

Symbol Micros: TNDT014L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 360mOhm; 2,8A; 3W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 360mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,8A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: NDT014L RoHS Obudowa dokładna: SOT223 karta katalogowa
Stan magazynowy:
293 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 313+
cena netto (PLN) 1,7100 1,1000 0,8460 0,7140 0,6560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
313
Rezystancja otwartego kanału: 360mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,8A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD