IRF9610

Symbol Micros: TIRF9610
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9610PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,8A
Maksymalna tracona moc: 20W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF9610 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
34 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,5700 2,2600 1,7800 1,5900 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRF9610 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,5700 2,2600 1,7800 1,5900 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/300
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,8A
Maksymalna tracona moc: 20W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT