IRLZ14

Symbol Micros: TIRLZ14
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 280mOhm; 10A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ14PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRLZ14 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7600 1,7300 1,3600 1,2800 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT