STP10NK60Z

Symbol Micros: TSTP10NK60Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 115W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP10NK60Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
125 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
cena netto (PLN) 6,8200 4,7600 4,0300 3,7900 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/250
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 115W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT