STP3NK90Z

Symbol Micros: TSTP3NK90Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP3NK90Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
34 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,7500 3,6300 3,0000 2,6300 2,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 4,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 90W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT