STP4NK60Z

Symbol Micros: TSTP4NK60Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP4NK60Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
175 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4300 2,1700 1,7100 1,5600 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 70W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT