BFG480W

Symbol Micros: TBFG480w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT343
Tranzystor NPN; 100; 360mW; 4,5V; 250mA; 21GHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 360mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Częstotliwość graniczna: 21GHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT343
Maksymalny prąd kolektora: 250mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 4,5V
Producent: NXP Symbol producenta: BFG480W RoHS Obudowa dokładna: SOT343 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,9600 2,4800 2,0600 1,8400 1,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 360mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Częstotliwość graniczna: 21GHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT343
Maksymalny prąd kolektora: 250mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 4,5V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN