BFG410W
Symbol Micros:
TBFG410w
Obudowa: SOT343
Tranzystor NPN; 120; 54mW; 4,5V; 12mA; 22GHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 54mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Częstotliwość graniczna: | 22GHz |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT343 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 12mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 4,5V |
| Moc strat: | 54mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Częstotliwość graniczna: | 22GHz |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT343 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 12mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 4,5V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |