IRF9510

Symbol Micros: TIRF9510
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9510PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRF9510 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9700 1,8600 1,4600 1,3800 1,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Rezystancja otwartego kanału: 1,2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT