TLP120(GB,F)

Symbol Micros: OOTLP120
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SO 4
pojedynczy CTR 50-600% Vce 80V Uiso 3,75kV Photo IC TLP120(F); TLP120(TPL,F); TLP120(GB,F); TLP120(GB-TPL,F); TLP120;
Parametry
CTR: 50-600%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPB Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP120(GB,F) RoHS Obudowa dokładna: SO 4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,7500 3,3300 2,8300 2,5800 2,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
CTR: 50-600%
Obudowa: SO 4
Typ wyjścia: NPB Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V