STP6NK90ZFP

Symbol Micros: TSTP6NK90ZFP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP6NK90ZFP RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
84 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
cena netto (PLN) 8,1900 6,0700 5,3000 5,0400 4,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/250
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT