STP140NF55

Symbol Micros: TSTP140NF55
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP140NF55 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 14,1200 11,7400 10,3400 9,4500 9,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Rezystancja otwartego kanału: 8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT