STP20NM60FP

Symbol Micros: TSTP20NM60FP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 45W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP20NM60FP RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
39 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
cena netto (PLN) 15,2800 11,9600 10,7000 10,2600 9,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/250
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: THT