STP45NF06

Symbol Micros: TSTP45NF06
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 28mOhm; 38A; 80W; -65°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 28mOhm
Maksymalny prąd drenu: 38A
Maksymalna tracona moc: 80W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: ST Symbol producenta: STP45NF06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,9500 2,9000 2,3200 1,9900 1,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Rezystancja otwartego kanału: 28mOhm
Maksymalny prąd drenu: 38A
Maksymalna tracona moc: 80W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 175°C
Montaż: THT