IRFR1018E

Symbol Micros: TIRFR1018e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR1018EPBF; IRFR1018EPBF-GURT; IRFR1018ETRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD