IRFR1205TRLPBF

Symbol Micros: TIRFR1205
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 27mOhm; 44A; 107W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR1205TRPBF; IRFR1205PBF-GURT; IRFR1205TRLPBF IRFR1205PBF; IRFR1205;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 27mOhm
Maksymalny prąd drenu: 44A
Maksymalna tracona moc: 107W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR1205 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
33 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 43+ 172+ 731+
cena netto (PLN) 4,0000 2,5300 2,0200 1,8300 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
43
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR1205 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 43+ 172+ 731+
cena netto (PLN) 4,0000 2,5300 2,0200 1,8300 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 27mOhm
Maksymalny prąd drenu: 44A
Maksymalna tracona moc: 107W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD