IRFR13N15D

Symbol Micros: TIRFR13n15d
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 180mOhm; 14A; 86W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR13N15DPBF; IRFR13N15DTRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 180mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 86W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR13N15D RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 10+ 20+ 80+
cena netto (PLN) 3,2000 2,3200 1,9200 1,6700 1,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
80
Rezystancja otwartego kanału: 180mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 86W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD