IRFP3710

Symbol Micros: TIRFP3710
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3710PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 25mOhm
Maksymalny prąd drenu: 57A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP3710 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 11,7800 9,2000 8,1200 7,7100 7,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 25mOhm
Maksymalny prąd drenu: 57A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT