IRFZ34NS

Symbol Micros: TIRFZ34ns
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ34NSTRLPBF; IRFZ34NSPBF; IRFZ34NSTRRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 29A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 29A
Maksymalna tracona moc: 68W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD