IRFZ48N

Symbol Micros: TIRFZ48n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ48NPBF; IRFZ 48 N PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 64A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFZ48N RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
725 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,6600 3,4200 2,7400 2,3500 2,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 64A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT