PDTA124ET

Symbol Micros: TPDTA124et
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 60; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA124ET,215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PDTA124ET RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3760 0,1480 0,0866 0,0634 0,0579
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP