IRLR8729
Symbol Micros:
TIRLR8729
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 58A; 55W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8729PBF; IRLR8729PBF-GURT; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 58A |
| Maksymalna tracona moc: | 55W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR8729TRLPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
1485 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9700 | 1,8800 | 1,4800 | 1,3500 | 1,2900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR8729TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
2000 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9700 | 1,8800 | 1,4800 | 1,3500 | 1,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 58A |
| Maksymalna tracona moc: | 55W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |