IRFR120Z

Symbol Micros: TIRFR120z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 190mOhm; 8,7A; 35W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR120ZPBF; IRFR120ZTRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,7A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,7A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD