IRLB4030

Symbol Micros: TIRLB4030
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLB4030PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRLB4030 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
3 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 14,2400 11,8400 10,4300 9,5300 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLB4030PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 45+ 135+
cena netto (PLN) 14,2400 11,8100 10,3700 9,5000 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
45
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLB4030PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 14,2400 11,1300 9,9400 9,5300 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT