MJ11033G

Symbol Micros: TMJ11033
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3
Tranzystor PNP; 18000; 300W; 120V; 50A; -55°C ~ 200°C;
Parametry
Moc strat: 300W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 18000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Producent: INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol producenta: MJ11033G RoHS Obudowa dokładna: TO 3  
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
cena netto (PLN) 62,5900 53,8400 48,2600 46,2300 44,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Moc strat: 300W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 18000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Typ tranzystora: PNP