IRFD210
Symbol Micros:
TIRFD210
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 600mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFD210PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 600mA |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFD210 RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,4900 | 1,3800 | 1,0900 | 1,0300 | 0,9940 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 600mA |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |