IRFF230

Symbol Micros: TIRFF230
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 39
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 460mOhm; 5,5A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 460mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO 39
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFF230 RoHS Obudowa dokładna: TO 39 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 2+ 3+ 5+ 10+
cena netto (PLN) 20,9000 17,9200 16,6100 15,3200 14,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 460mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO 39
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT