IRF3808

Symbol Micros: TIRF3808
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7mOhm; 140A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3808PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 140A
Maksymalna tracona moc: 330W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 140A
Maksymalna tracona moc: 330W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT