IRF3808S
Symbol Micros:
TIRF3808s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7mOhm; 106A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3808STRLPBF; IRF3808SPBF; IRF3808STRRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 7mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 106A |
Maksymalna tracona moc: | 200W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 7mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 106A |
Maksymalna tracona moc: | 200W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |