BSS169
Symbol Micros:
TBSS169
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS169H6327; BSS169H6327XTSA1; BSS169I; SP005558635;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 12Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |