IRFB3006

Symbol Micros: TIRFB3006
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3006PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 270A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB3006 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 150+
cena netto (PLN) 13,9500 11,5700 10,1700 9,2900 9,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 270A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT