IRFB3306

Symbol Micros: TIRFB3306
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3306PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 160A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB3306 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
320 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,2500 4,7700 3,9500 3,4600 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/800
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFB3306PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,2500 4,7700 3,9500 3,4600 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 160A
Maksymalna tracona moc: 230W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT