BSS8402DW
Symbol Micros:
TBSS8402DW
Obudowa: SC70-6
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
Maksymalna tracona moc: | 200mW |
Obudowa: | SC70-6 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Rezystancja otwartego kanału: | 13,5Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
Maksymalna tracona moc: | 200mW |
Obudowa: | SC70-6 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |