BSP318S

Symbol Micros: TBSP318s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD