BSP372
Symbol Micros:
TBSP372
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP372NH6327XTSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |