IRFL4310

Symbol Micros: TIRFL4310
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL4310TRPBF; IRFL4310PBF; IRFL4310PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFL4310TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,1100 1,9500 1,6200 1,4400 1,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD