MMBT2222AWT1G

Symbol Micros: TMMBT2222awt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 300; 150mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2222AWT3G;
Parametry
Moc strat: 150mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT2222AWT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6335 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4540 0,2080 0,1130 0,0847 0,0756
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 150mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN