MMBT4401LT1G

Symbol Micros: TMMBT4401lt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN