ZXMN10B08E6

Symbol Micros: TZXMN10b08e6
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-6
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 1,9A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: ZXMN10B08E6TA;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 500mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,9A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOT23-6
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMN10B08E6TA Pbf 10B8 Obudowa dokładna: SOT23-6/t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6800 1,3200 1,2000 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMN10B08E6TA .10B8 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-6/t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1614 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6800 1,3200 1,2000 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 500mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,9A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOT23-6
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD