BSZ097N04LSG TSDSON-8

Symbol Micros: TBSZ097n04lsg
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 14.2mOhm; 40A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSZ097N04LSGATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 14,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TSDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 14,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TSDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD