BSZ097N04LSG TSDSON-8
Symbol Micros:
TBSZ097n04lsg
Obudowa: TSDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 14.2mOhm; 40A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSZ097N04LSGATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 14,2mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 40A |
Maksymalna tracona moc: | 35W |
Obudowa: | TSDSON08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 14,2mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 40A |
Maksymalna tracona moc: | 35W |
Obudowa: | TSDSON08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |