2SA1156

Symbol Micros: T2SA1156
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 200; 1W; 400V; 500mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 1W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Producent: NEC
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: NEC Symbol producenta: 2SA1156 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
56 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,1500 2,0000 1,5800 1,4300 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 1W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Producent: NEC
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta