D45H11G
Symbol Micros:
TD45H11G
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 60; 2W; 80V; 10A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: D45H11;
Parametry
Moc strat: | 2W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
Częstotliwość graniczna: | 40MHz |
Producent: | STMicroelectronics |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ST
Symbol producenta: D45H11 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
140 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,7300 | 3,4700 | 2,7800 | 2,3900 | 2,2500 |
Moc strat: | 2W |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
Częstotliwość graniczna: | 40MHz |
Producent: | STMicroelectronics |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |