D45H11G

Symbol Micros: TD45H11G
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 60; 2W; 80V; 10A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: D45H11;
Parametry
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ST Symbol producenta: D45H11 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
140 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,7300 3,4700 2,7800 2,3900 2,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/700
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP